ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ГАММА-КВАНТАМИ НА СВОЙСТВА p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ GaAs 

Булярский Сергей Викторович, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой инженерной физики, Ульяновский государственный университет, Заслуженный деятель науки России, член-корреспондент АН Татарстана, г. Ульяновск, bsv@ulsu.ru
Ермаков Михаил Сергеевич, аспирант, Ульяновский государственный университет, г. Ульяновск, bsv@ulsu.ru

 621.315.592

При облучении образцов на основе GaAs гамма-квантами с энергией 1,25 МэВ было выявлено, что в образцах с дозой 0,3 Мрад, происходит уменьшение количества дефектов. Для анализа экспериментальных данных применялась такая физическая величина, как приведенная скорость рекомбинации, которая обратна к времени жизни носителей заряда.

дефект, гамма-квант, скорость рекомбинации, время жизни, носитель заряда

 Скачать статью в формате PDF

1. Булярский, С. В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах / С. В. Булярский, Н. С. Грушко. – М. : МГУ, 1995. – 399 с.
2. Булярский, С. В. Обобщенная модель рекомбинации / С. В. Булярский, 
Н. С. Грушко // ЖЭТФ. – 2000. – № 11. – С. 687–698.
3. Уваров, Е. Ф. Радиационные эффекты в широкозонных полупроводниках А3B5 / Е. Ф. Уваров. – М. : ЦНИИ «Электроника», 1978. – 77 с.
4. Булярский, С. В. Инновационные методы диагностики наноэлектронных элементов : учебно-методический комплекс / С. В. Булярский. – Ульяновск : УлГУ, 2006. – 93 с. 
5. Чернов, И. П. Аномальное воздействие малых доз ионизирующего излучения на металлы и сплавы / И. П. Чернов, А. П. Мамонтов, А. А. Ботаки [и др.] // ФТП. – 1984. – Т. 57. – Вып. 1. – С. 56–58.